[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110417403.6 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113161484A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王景皓;辛欣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。包括：提供衬底；于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括交替分布的三个介质层和四个支撑层，相邻所述绝缘层之间具有第一沟槽；在所述绝缘层表面形成下电极层，所述下电极层填覆盖所述第四支撑层的上表面且填充满所述第一沟槽；去除部分结构以形成电容孔，剩余的所述第四支撑层的上表面低于剩余的所述下电极层的上表面；于所述电容孔内依次形成介电层、上电极层和导电层，所述介电层、所述上电极层和所述导电层填充满所述电容孔。本发明解决了在提高易失性存储器中电容柱的高度的同时，防止电极层坍塌的问题，并改善了电容柱形成过程中，电容孔容易发生刻蚀不充分的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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