[发明专利]低功率存储器写入操作在审
| 申请号： | 202110417556.0 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113539326A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | K·J·多里 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/12;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(SRAM)架构包括：被耦合在第一位线与第一互补位线之间的第一列SRAM单元，以及用于第一列的第一写入电路。第一写入电路包括第一锁存器，该第一锁存器接收第一输入数据并且向第一位线和第一互补位线提供互补输出。第一写入电路具有驱动第一位线和第一互补位线的可锁存输出状态，并且如果所接收的第一输入数据的状态在连续写入操作之间没有发生改变，则可锁存输出状态在连续写入操作之间没有发生改变；但是如果所接收的第一输入数据的状态在连续写入操作之间发生改变，则可锁存输出状态在连续写入操作之间确实发生改变。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 存储器 写入 操作 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体国际有限公司，未经意法半导体国际有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110417556.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
