[发明专利]一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法有效
| 申请号： | 202110418044.6 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113044816B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，属于氮化铝晶体制备技术领域。为解决现有多孔氮化铝原料制备工艺复杂，成本高的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，包括配制浆料、球磨处理、冻干处理和烧结、酸洗处理步骤。本发明提供的多孔氮化铝制备方法工艺简单，对设备要求低、成本低，更适用于氮化铝晶体的工业化生产。本发明通过准确控制冻干温度使多孔孔径相对可控，制备得到的多孔氮化铝原料孔径小于30μm，这样的孔径不但利于气体上升，还能够对碳颗粒进行过滤，提高晶体质量。本发明制备过程中添加的粘接剂、分散剂能够在烧结过程中完全除去，保证了氮化铝原料的高纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体生长 多孔 原料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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