[发明专利]基于超表面材料的硅芯片防伪标识的设计方法在审
| 申请号： | 202110418619.4 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113191474A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 曲柯宁;彭畅;郑国兴 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G06K19/06 | 分类号： | G06K19/06;G02B1/00;G02B5/30;G02B27/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖明洲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超表面材料的硅芯片防伪标识的设计方法，包括：确定工作波长，通过电磁仿真软件优化纳米砖单元结构的尺寸参数，使得工作波长下任意偏振态的偏振光正入射至纳米砖单元结构时，沿纳米砖单元结构的长轴方向振动的线偏振光分量反射率最大，同时沿纳米砖单元结构的短轴方向振动的线偏振光分量反射率最小；将A×B个像素组成的灰度图像的灰度信息编码为超表面阵列结构中A×B个纳米砖的转向角信息，生成转向角矩阵；将A×B个尺寸一致、方向角按照转向角矩阵排列的纳米砖单元结构等间隔排列，构成超表面阵列结构。本发明通过超表面材料实现硅芯片防伪。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 材料 芯片 防伪 标识 设计 方法 | ||
【主权项】：
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