[发明专利]镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法有效
| 申请号： | 202110420515.7 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113122915B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法。镀层方格包括支撑环和方格网；支撑环能够用于支撑镀层方格设置在坩埚中，且支撑环的外壁能够用于抵持在坩埚的内壁上；支撑环具有与坩埚内部连通的连通孔，方格网设置在连通孔的周缘上；方格网具有多个沿坩埚高度方向延伸的导通孔。其能够保障碳化硅晶体的生长速度和产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 镀层 方格 坩埚 装置 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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