[发明专利]一种多层金属覆膜高导热氮化铝陶瓷基板及制备方法在审
| 申请号： | 202110420959.0 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113149715A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 潘伟;刘广华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C04B41/88;C23C4/01;C23C4/06;C23C4/08;C23C4/134 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘凯强;张奎燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种多层金属覆膜高导热氮化铝陶瓷基板及制备方法。所述制备方法分别选用金属镍或镍合金粉体，金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属或金属合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氮化铝陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出金属层与氮化铝陶瓷界面结合强度高、热导率高，电导率高的多层金属覆膜氮化铝陶瓷基板。本发明直接将金属或金属合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的高导热氮化铝陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的多层金属覆膜电路陶瓷基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 金属 覆膜高 导热 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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