[发明专利]一种金刚石基氮化镓复合衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202110421403.3 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112981535B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郑宇亭;李成明;刘思彤;张钦睿;魏俊俊;刘金龙;陈良贤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C16/27;C23C16/30;C23C16/56;C30B25/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种金刚石基氮化镓（GaN）复合衬底的制备方法，属于半导体材料制备领域。先将金刚石膜通过摩擦抛光使表面粗糙度低于0.5 nm。接着基于真空互联射频磁控溅射和分子束外延技术进行双腔室薄膜镀制。当真空度达到1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 金刚石 氮化 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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