[发明专利]一种PERC太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202110421732.8 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113161449A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 蒋万昌 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种PERC太阳能电池的制备方法,按制绒、扩散、激光SE、去背面PSG、碱刻蚀抛光、去正面PSG、退火、氧化铝、正面沉积减反射膜、背面激光开槽、丝网印刷、烧结的工艺进行,在激光SE后首先进行链式氧化,然后进行臭氧氧化,最后再进行去背面PSG及后续步骤,链式氧化为在激光SE中进行磷掺杂的面镀一层氧化膜,氧化膜厚度控制在10‑100nm,温度控制在500‑800℃,臭氧氧化为在链式氧化产生氧化膜后通入臭氧,加强正面保护效果,臭氧浓度控制在10‑100ppm。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的