[发明专利]U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110423296.8 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113314422B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;王喜龙 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/108;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 胡亮;张颖玲 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述U型晶体管的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有多个晶体管形成区域，每一所述晶体管形成区域具有一晶体管柱，每一所述晶体管柱具有一裸露的U型面；在每一所述晶体管柱的所述U型面上依次形成栅极氧化层和栅极；在所述晶体管柱的第一端，形成源极；在所述晶体管柱的第二端，形成漏极，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在第一方向上相对的两端，所述第一端与所述第二端在第二方向上的尺寸不同；所述第一方向为所述晶圆的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述源极与所述漏极之间的晶体管柱构成所述晶体管的沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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