[发明专利]内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺在审
| 申请号： | 202110423298.7 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113161237A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 | 申请（专利权）人： | 江苏韦达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上通过低温液态源扩散或离子注入方式掺杂一层淡磷；在高温下进行磷再扩散，在淡磷上进行双面浓磷扩散；在淡磷上进行双面局部补硼扩散；在双面进行硅腐蚀，形成内沟槽；在双面沟槽内填充一层玻璃层形成终端保护；双面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。本发明采用的内沟槽钝化保护结构相比常规外沟槽结构有更高的可靠性，产品不易失效与产生漏电，规避了芯片划片、封装等带来的可靠性风险。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 台面 工艺 触发 二极管 芯片 制作 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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