[发明专利]一种半导体掺杂层厚度无损检测方法有效
| 申请号： | 202110423512.9 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113140478B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海林;冯淦;赵建辉;钱卫宁;刘杰;梁瑞 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 刘小勤 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市火炬高*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种外延层厚度无损检测方法，包括：获得外延层的掺杂浓度；获得反向偏置电压值V：使用探针与外延层接触，形成肖特基结，并对肖特基结施加逐步增大的反向偏置电压，记录下电流出现明显变化时的反向偏置电压值V；根据公式 |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 掺杂 厚度 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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