[发明专利]一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域。一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不需大规模改进。