[发明专利]基于局部纳米针孔接触的硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于局部纳米针孔接触的硅太阳能电池及其制备方法，设计纳米针孔参数，制备纳米压印模板，用干法刻蚀将纳米针孔图形转移到硅片上，对硅片前表面进行制绒，获得表面金字塔结构；硅片前表面磷扩散，硅片前表面生长氮化硅作为钝化层和抗反层，硅片背表面生长氧化铝/氮化硅叠层薄膜，将模板覆盖在旋涂有压印胶的叠层薄膜上，干法刻蚀氧化铝/氮化硅叠层薄膜得，到纳米针孔图形，背面铝电极以及前面银电极生长。通过上述步骤，可得到基于局部纳米针孔接触的新型硅太阳能电池。本发明的方法及所制备的电池，使得针孔钝化层除了具有优良的钝化效果，同时还具有类似于TOPCon电池通过氧化硅的纳米针孔传导电流的功能。