[发明专利]基于时间序列的超辐射发光二极管可靠性建模方法及系统在审

专利信息
申请号: 202110425369.7 申请日: 2021-04-20
公开(公告)号: CN113221495A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 何怡刚;张学勤;何鎏璐;王枭;曾昭瑢 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367;G06F30/373;G06F111/10;G06F119/02;G06F119/12
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 张宇
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种基于时间序列的超辐射发光二极管可靠性建模方法及系统,包括:对试验数据进行收集,并按照时间的顺序对数据进行排列;对序列的特征进行观察,选取合适的模型进行拟合,根据数据拟合模型的拟合口径,对模型进行检验并进行优化;使用拟合后的模型来判断序列其他的统计量属性,预测后面的发展,计算超辐射发光二极管伪失效寿命;使用可靠性模型对超辐射发光二极管建模,计算相关可靠性相关指标并进行预测。本发明根据超辐射发光二极管的数据退化特性选取拟合模型,选取多组参数口径,并根据相关指标进行对比,最后得到最优模型,再根据模型计算超辐射发光二极管伪失效寿命,进行可靠性建模,完成超辐射发光二极管的可靠性建模工作。
搜索关键词: 基于 时间 序列 辐射 发光二极管 可靠性 建模 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
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