[发明专利]硅片加工方法在审
| 申请号： | 202110425507.1 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN115223858A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 权林;曹共柏;林志鑫;潘帅 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片加工方法，包括：建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并据此建立最终产品的平坦度模型；根据最终产品的平坦度模型获得第m个单步工艺的目标平坦度，并结合第m个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度；利用第m个单步工艺的实际平坦度调整第m+1个单步工艺的目标平坦度，结合第m+1个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m+1个单步工艺；其中，n为大于1的正整数，m＝1、2....n‑1。通过上述模型设定单步工艺的目标平坦度及优化对应单步工艺的工艺参数及设备参数，并针对前一单步工艺的目标平坦度及实际平坦度的差异，利用下一单步工艺进行调整，进而解决提高硅片平坦度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
