[发明专利]一种沟槽门型叠栅SiC MOSFET器件有效
| 申请号： | 202110425869.0 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113140636B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;许峰;秦海峰;王礼祥;黄义 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽门型叠栅SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该门型叠栅MOSFET在栅极多晶硅处引入了PN结，其栅极结构为N型多晶硅、门型P型多晶硅、门型栅极接触金属层层叠加。该沟槽门型叠栅结构的改造减少了栅极与漏极源极的电容耦合面积与距离，从而减少栅电荷和开关损耗，器件开关性能得到了明显改善。改良后的器件与传统沟槽型SiC MOSFET相比，栅漏电荷下降了68％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 门型叠栅 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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