[发明专利]一种TDICMOS成像系统的供电方法有效
| 申请号： | 202110427507.5 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113054642B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 余达;吕恒毅;司国良;张宇;宁永慧;刘海龙;邵帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H02J1/00 | 分类号： | H02J1/00;H02J1/08;H04N5/374 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱红玲 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种TDICMOS成像系统的供电方法，涉及CMOS成像技术领域，解决现有对TDICMOS探测器供的方法难以满足高温度范围和抗辐射的要求的问题，本发明提出采用DDR3供电芯片来进行探测器的低电压大拉灌电流供电，通过外部基准源加分压电阻及跟随运放的形式来提供DDR3芯片低漂移低纹波的可调参考电压；通过与成像控制器共用点负载输出的数字电压来进行DDR3芯片的数字逻辑供电；通过与成像控制器共用点负载输出的内核电压作为DDR3芯片内部LDO的低压差供电，减少供电电源芯片数量，同时提高供电效率。针对成像控制器和TDICMOS探测器都存在上电顺序要求，设计了专门的上电时序，保证成像控制器和探测器上电过程中不会出现瞬态大电流，稳定可靠地工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tdicmos 成像 系统 供电 方法 | ||
【主权项】：
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