[发明专利]一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法在审
申请号: | 202110428360.1 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113249707A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 刘镇颉;柳雪 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陈晖 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法,其中一种薄膜沉积装置包括:反应腔室、承载座,所述承载座设置于反应腔室中,用于承载基板;所述反应腔室上部设有第一进气口,反应腔室下部设有第二气体进气口和泵抽气口,所述反应腔室内的两侧设有环形侧壁,所述反应腔室内还设有分隔板和第二气体出气环;本发明提供的一种薄膜沉积装置,可与薄膜沉积工艺同步进行,减少清洗时间提高产能,并改善腔体及薄膜颗粒度;本发明提供的薄膜沉积方法,通过腔体侧壁形成气环降低腔体侧壁的温度,通过惰性气体稀释腔体底部的反应源浓度,防止薄膜累积过多及清除不彻底而产生的颗粒,改善了腔体及薄膜颗粒度。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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