[发明专利]氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202110429100.6 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113140452A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;夏玉明;许哲豪;郑浩旋 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的制备方法包括如下步骤有：提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有纳米线形介孔；在惰性环境中，向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体，在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体；将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理，在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线；再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线制备方法制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控，长径比大，曲挠性优异，而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控，制备效率高，能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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