[发明专利]一种用于集成电路制造的间距倍增掩膜在审
申请号: | 202110429242.2 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113296353A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 吴志斌;黄志帆 | 申请(专利权)人: | 深圳市创芯达科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种用于集成电路制造的间距倍增掩膜,涉及集成电路技术领域,解决了不能够通过结构上的改进实现玻璃基座的多方向防护,且该防护结构能够与支撑结构相互结合的问题。一种用于集成电路制造的间距倍增掩膜,包括玻璃基座;所述玻璃基座为拼接式结构,且玻璃基座由放置座、挡块和挡板拼接而成。凸轮粘附在支撑臂上,且凸轮为橡胶材质,并且当支撑臂的尾端与防护座底端面接触时凸轮与掩膜板的顶端面弹性接触,从而可实现掩膜板的固定,且当玻璃基座离开地面时支撑臂因重力原因会进行转动,进而通过支撑臂的转动可实现凸轮的转动,最终通过凸轮的转动可实现掩膜板的位移,故方便了掩膜板的拆除。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 集成电路 制造 间距 倍增 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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