[发明专利]场效应晶体管的仿真模型的建立系统及其建立方法有效
| 申请号： | 202110429245.6 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113128155B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 傅飞;朱能勇 | 申请（专利权）人： | 南京华大九天科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 公开了一种场效应晶体管的仿真模型的建立系统及其建立方法，该场效应晶体管的仿真模型包括：场效应晶体管模型，包括场效应晶体管的栅极、源极、漏极和体电极四个连接端；第一二极管模型，包括第一二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和漏极之间；第二二极管模型，包括第二二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和源极之间，第一二极管模型和第二二极管模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性。该场效应晶体管的仿真模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性，使得模型能更好地反映器件特性，解决收敛性问题并保证仿真准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 仿真 模型 建立 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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