[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110429710.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113192967B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张坤;王迪;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括提供一半导体衬底；于半导体衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括若干叠层对，每个叠层对包括第一叠层单元与第二叠层单元；堆叠结构具有阶梯区域，于阶梯区域中形成多级台阶，每级台阶包括至少一个叠层对，每级台阶的顶面显露出对应的叠层对的第二叠层单元的表面；形成蚀刻缓冲层覆盖第二叠层单元的表面，其中，蚀刻缓冲层为导电材料；于各蚀刻缓冲层上同时形成接触孔，接触孔显露蚀刻缓冲层。利用本发明，通过在台阶表面设置蚀刻缓冲层，可以在一个蚀刻工艺过程中同时完成所有接触孔的蚀刻，不仅简化了工艺步骤，降低了接触孔的蚀刻难度，并且节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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