[发明专利]电容器结构的制造方法在审
| 申请号： | 202110429776.5 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115223985A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李翔;陈鼎龙;姚长达 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种电容器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成第一经掺杂的硅材料层。通过等离子体处理对第一经掺杂的硅材料层进行表面平坦化工艺。在进行表面平坦化工艺之后，在第一经掺杂的硅材料层上形成绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第二经掺杂的硅材料层。将第一经掺杂的硅材料层图案化成第一电极。将绝缘材料层图案化成绝缘层。将第二经掺杂的硅材料层图案化成第二电极。上述电容器结构的制造方法可制作出具有较佳可靠度的电容器，且可提升电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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