[发明专利]半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法在审
| 申请号： | 202110431154.6 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113674794A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 神永雄大 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法，其可输出与在连续读出动作中进行了错误纠正的页相关的各种信息。本发明的NAND型的闪速存储器包括：存储单元阵列；连续读出部件，连续地读出存储单元阵列的页；错误检测纠正相关信息存储部(190)，针对由连续读出部件连续读出的页，存储由错误检测纠正电路(130)进行了错误纠正的的页相关的错误检测纠正相关信息；以及输出部件，响应于连续读出动作后的读出命令，输出错误检测纠正相关信息存储部(190)中所存储的错误检测纠正相关信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 错误 检测 纠正 相关 信息 读出 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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