[发明专利]一种FBAR谐振器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110432354.3 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113315488A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴秀山;崔佳民;徐霖;姚玮;彭涛;闫树斌;朱振宇 | 申请（专利权）人： | 浙江水利水电学院 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 张国栋 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于谐振器制备技术领域，公开了一种FBAR谐振器及其制备方法，所述FBAR谐振器的制备方法包括：锗薄膜制备；FBAR谐振器衬底的选择处理；在衬底沟槽内形成硅纳米线；在含硅纳米线的FBAR谐振器衬底上进行下电极形成；FBAR谐振器的制备。本发明提供的FBAR谐振器仅需要进行两层压电层的制备，制备方法简单，操作简便；将石墨作为单晶硅衬底和锗薄膜间的过渡层，可以消除硅和锗之间的晶格失配，减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，从而降低锗薄膜的缺陷密度问题；通过磁控溅射法、化学气相沉积法进行石墨层和锗薄膜的制备，实现FBAR谐振器反射效果的增强的同时降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fbar 谐振器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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