[发明专利]可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚在审
| 申请号： | 202110433155.4 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113249791A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许学仁;郭云龙;许浩 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可调节生长气氛中碳硅比例的碳化硅单晶生长石墨坩埚，所述石墨坩埚的腔室包括坩埚原料腔和坩埚生长腔，所述坩埚原料腔的石墨壁厚度大于坩埚生长腔的石墨壁；所述坩埚原料腔包括一个碳化硅粉腔和至少两个硅粉腔；所述硅粉腔的顶部连接有硅粉输料管，所述硅粉输料管还与石墨坩埚外部的硅粉仓连接。本发明可以实现在碳化硅单晶生长过程中消耗一定的气相硅来调节成长气氛，保持碳化硅晶体生长过程中碳、硅比例处于最佳范围，从而避免在碳化硅单晶生长面出现硅液滴，进而提高碳化硅单晶生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 生长 气氛 中碳硅 比例 碳化硅 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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