[发明专利]一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110434283.0 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113121221B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 薛人中;朱祥;苏玉玲;刘德伟;张会均;陈思源;崔梦茹;陈红炫 申请(专利权)人: 郑州轻工业大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;C04B35/624
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 王红培
地址: 450000 河南省郑州*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法,首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液,再合成钛酸铜钙溶胶;其次,清洗SrTiO3(001)基片,利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜;最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜,以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗,从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能。本发明显著降低对制膜设备的要求,重复性高,适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104,介电损耗低至0.01。
搜索关键词: 一种 高介电 性能 钛酸铜钙 外延 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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