[发明专利]高纯度碳酸钴颗粒及其制备方法有效
| 申请号： | 202110434782.X | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112897596B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;田礼平;胡招文;刘人生;夏勇;张琳琳;李艳 | 申请（专利权）人： | 衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/06 | 分类号： | C01G51/06 |
| 代理公司： | 北京方可律师事务所 11828 | 代理人： | 郝东晖;吴艳 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高纯度碳酸钴颗粒及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：生成碳酸钴晶种；向反应容器中并流加入钴离子源溶液及碳酸根源溶液，使碳酸钴晶种合成长大为碳酸钴晶粒；在碳酸钴晶粒生长达到所需粒度后，对反应溶液进行固体生成物提取，得到碳酸钴颗粒，其中，并流加入的钴离子源溶液和碳酸根源溶液的比例控制为，钴离子与碳酸根源提供的碳酸根的摩尔比小于0.6。本发明通过在碳酸钴颗粒的合成生长过程中控制并流加入的钴离子源溶液和碳酸根源溶液的加入比例，使碳酸钴晶粒的主要生长过程中，碳酸根优于其他酸根与钴离子结合，抑制其他酸根杂质的生成，有利于提高碳酸钴颗粒中的钴含量。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 碳酸 颗粒 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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