[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110435175.5 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113675309A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 丹羽纪隆;稻津哲彦 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高半导体发光元件的可靠性的半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件(10)包括：n型半导体层(24)；设于n型半导体层(24)的第1上表面(24a)的活性层(26)；设于活性层(26)上的p型半导体层(28)；与p型半导体层(28)的上表面(28a)接触的p侧接触电极(30)；设于p侧接触电极(30)上的p侧电流扩散层(32)；与n型半导体层(24)的第2上表面(24b)接触的n侧接触电极(34)；以及包含设于n侧接触电极(34)上的第1电流扩散层(48)和设于第1电流扩散层(48)上的第2电流扩散层(50)，并包含TiN层的n侧电流扩散层(36)。p侧接触电极(30)的上表面(30a)的高度位置与第1电流扩散层(48)的上表面(48d)的高度位置的差为100nm以下，p侧电流扩散层(32)的上表面(32d)的高度位置与第2电流扩散层(50)的上表面(50d)的高度位置的差为100nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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