[发明专利]具有光栅结构的红外半导体芯片及其制备方法

摘要

本公开提供了具有光栅结构的红外半导体芯片及其制备方法，属于半导体制作领域。红外的PIN半导体芯片中的外延片中，p‑GaAs欧姆接触层与金属光栅结构可以全面覆盖p型共振复合层的表面，与增加的n型布拉格反射层配合，将大部分本征材料吸收复合层吸收到的光线限制在外延片内部并在p型共振复合层形成共振，增加光线的吸收与反应速率，即增加响应速度。金属光栅结构上具有的连通至p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔，可以一定程度上改变光栅孔，来控制PIN半导体芯片可进行共振与探测的光线的波长，提高PIN半导体芯片对不同波长的光线的适应性。