[发明专利]提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110435740.8 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113380931A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;王世俊 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。红光发光二极管芯片的外延片中，在p型AlInP限制层上依次生长第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜包括p‑AlInP子层与p‑AlGaInP子层交替层叠的超晶格结构，第二布拉格反射镜包括p‑AlAs子层与AlGaAs子层交替层叠的超晶格结构。采用不同材料制作的第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，可以反射更大波长范围内的红光光线，红光发光二极管芯片的发光效率可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 发光 效率 红光 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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