[发明专利]氮化镓高温退火保护结构及其应用在审
申请号: | 202110435943.7 | 申请日: | 2021-04-22 |
公开(公告)号: | CN113161410A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 王哲明;张璇;张宝顺;于国浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/265 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种氮化镓高温退火保护结构及其应用。所述实现氮化镓P型掺杂的方法包括对氮化镓材料进行离子注入;采用原子层沉积方式在氮化镓材料表面形成氧化物层;采用低压力化学气相沉积方式在所述氧化物层表面形成低应力氮化硅层;以所述氧化物层和氮化硅层作为保护层,对所述氮化镓材料进行高温退火,将其中的受主杂质激活,实现氮化镓材料的P型掺杂。本发明实施例提供的一种保护氮化镓高温退火激活的方法,形成的保护层可以在常压、氮气氛围中,保护GaN样品在1230℃以上的温度条件下退火,且在短时间内不发生分解。 | ||
搜索关键词: | 氮化 高温 退火 保护 结构 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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