[发明专利]一种芯片厚度减薄的方法在审
| 申请号： | 202110436052.3 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113299538A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 贺晓辉;李迈克;石磊;陈耿 | 申请（专利权）人： | 重庆工程职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司： | 重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙) 50279 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 402284 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片厚度减薄的方法，涉及半导体技术领域，提供一载板及一待处理芯片，载板上开设有尺寸大于所述待处理芯片的凹槽；将待处理芯片放入凹槽的中心位置，并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合；将石蜡熔化形成溶体，然后注入待处理芯片四周的凹槽中，冷却凝固；采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对所述待处理芯片的背面进行腐蚀，得到减薄芯片；然后用非极性溶剂将石蜡溶解，再用去离子水冲洗，将减薄芯片表面的水迹吹干即可。本发明减薄过程简单稳定，减薄后待处理芯片表面光滑平整，能够避免机械减薄对待处理芯片的冲击，使芯片减薄过程不会破碎现象，减薄打磨过程中不会产生硅粉末，能够提高芯片减薄加工效率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
