[发明专利]一种基于SnSe2 在审
| 申请号： | 202110436121.0 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113292041A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈志勇;马庆;罗向东;余洋;陈明;杨春雷;童佩斐;李国啸 | 申请（专利权）人： | 江苏度微光学科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;H01L31/101;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 226200 江苏省苏州市相城区元和街*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种基于SnSe2半导体的多功能智能传感器及其制备方法，属于多功能传感器领域。包括基底、第一区域传感器、第二区域传感器和第三区域传感器；所述的基底为半Mo金属‑半玻璃结构，第一区域传感器和第二区域传感器位于基底上的Mo金属层上，与Mo金属薄膜接通，分别为光电传感器和甲烷气体传感器；第三区域传感器位于基底上的玻璃位置，为压力传感器。本发明利用了SnSe |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 snse base sub | ||
【主权项】：
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