[发明专利]改善热载流子注入的功率半导体器件有效
| 申请号： | 202110436194.X | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113206145B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 乔明;马鼎翔;王正康;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供改善热载流子注入的功率半导体器件，在介质槽中在漏极一侧引入漏极场板，与漏电极相连，具有同电位，改善了介质槽漏极侧空穴注入效应；在介质槽内源极一侧引入屏蔽栅场板，与源电极或地相连，构成屏蔽栅，在降低栅漏寄生电容C |
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| 搜索关键词： | 改善 载流子 注入 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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