[发明专利]一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法有效
| 申请号： | 202110436275.X | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113224156B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 包琦龙;蒋其梦;唐高飞;王汉星;黄伯宁;侯召政 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法。该氮化镓器件的漏极包括P‑GaN层和漏极金属；P‑GaN层形成在AlGaN层之上，并且在器件栅宽方向上为条状结构；漏极金属包括多个第一结构区间和多个第二结构区间；多个第一结构区间和多个第二结构区间在栅宽方向上交替分布；漏极金属在第一结构区间与P‑GaN层接触；漏极金属第二结构区间既与P‑GaN层接触，又与AlGaN层形成欧姆接触。这样，漏极金属在第一结构区间实现局部注入空穴的能力，在第二结构区间通过欧姆接触(Ohmic contact)实现器件从漏极到源极的电流导通能力，由此能够在保证P‑GaN空穴注入效率的同时，避免器件本征导通电阻增大，从而提高器件开关速度，降低器件驱动损耗，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 开关 功率管 驱动 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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