[发明专利]一种SGT-MOSFET半导体器件在审
| 申请号： | 202110436730.6 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113257900A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 丘展富 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯控源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 龚健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件，涉及半导体领域。该SGT‑MOSFET半导体器件，包括屏蔽栅和三组半导体结构，所述半导体结构包括沟槽，且沟槽呈U形设置，所述沟槽端面设置有控制导电材料，且控制导电材料顶部设置有栅电极，所述沟槽之间设置有屏蔽栅电极，三组所述半导体结构之间设置有绝缘材料，所述沟槽(11)深度为3300‑5500mm，所述绝缘材料(15)采用橡胶或者木材。本发明SGT比传统沟槽工艺挖槽深度的3‑5倍，SGT可以横向使用更多的硅外延体积来阻止电压，使得SGT的内阻比普通MOSFET低2倍左右，使得开关损耗低；同时由于SGT‑MOSFET具有更深的沟槽深度，因此可以使用更多硅体积来吸收EAS能量，所以SGT可以在雪崩中做的同样或更好，并且同等规格下，芯片面积做到更小，性价比更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sgt mosfet 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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