[发明专利]化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 202110436761.1 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113178386A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 胡文才;权林;张宇磊;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械抛光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保护层。通过在所述硅片的表面覆盖保护层，在对所述硅片的缺口进行化学机械抛光时，抛光液流到所述硅片的表面时，由于所述保护层对所述硅片的表面保护，使得所述硅片的表面不被所述抛光液腐蚀，从而能够解决所述硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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