[发明专利]一种PVT法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法在审
| 申请号： | 202110437585.3 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113136622A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈建丽;程红娟;于凯;孟大磊;王增华;张丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种PVT法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法。包括粘接石墨籽晶托、籽晶、坩埚上、石墨连接环、坩埚下、外壳箱体、上测温杆和下测温杆，石墨连接环的材质是与坩埚上和坩埚下材质不同的多孔石墨材料，孔径为1‑100μm，孔隙率和孔径均与坩埚上和坩埚下有差异。步骤包括：装炉、升温、抽真空、冲惰性气体、升温保压、降压、降温。本发明使反应系统内的气体利用石墨的孔隙差异在指定位置溢出，通过反应气体在籽晶表面和边缘的滞留时间和流向的控制，以及坩埚内外气体压力差的控制来达到生长高质量，尤其是可以抑制边缘小裂纹和多晶的产生，同时可以降低晶体生长过程中的杂质含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 气流 导向 碳化硅 生长 装置 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所，未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110437585.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板的补偿方法及显示装置
- 下一篇：一种晶圆中LED晶粒的分选方法
