[发明专利]基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法有效

专利信息
申请号: 202110437642.8 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113241331B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 张剑;卢茜;向伟玮;曾策;董乐;徐诺心;赵明;叶惠婕;董东;朱晨俊;王文博 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;G01N25/20
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘世权
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法,该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径,实现该三维集成结构原位、实时热分析,从而减小整个系统的热衰减,提升电子系统的可靠性。
搜索关键词: 基于 阵列 散热 三维 集成 结构 及其 制备 方法 分析
【主权项】:
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