[发明专利]一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法在审
| 申请号： | 202110438088.5 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112919473A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马康夫;魏汝省;赵丽霞;李斌;张继光;张辰宇;李刚;方芃博;陈琪;许正;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H |
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| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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