[发明专利]一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法。所述的一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构包括依次层叠设置的InPOI衬底、含铝砷化物阻挡层和下接触层、InGaAs吸收层及含铝砷化物窗口层和上接触层，所述InPOI衬底为从InP衬底上剥离下来后，转移至CMOS兼容的SOI衬底上的InP单晶薄膜，所述含铝砷化物阻挡层和下接触层以及所述含铝砷化物窗口层和上接触层的材料均为含铝砷化物，所述InGaAs吸收层的材料为InGaAs。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InP基InGaAs短波红外探测器，适合于低成本、大规模红外焦平面阵列制备，具有广泛的应用前景。