[发明专利]存储器件、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110441152.5 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN115241372A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 占康澍;宛强;徐朋辉;刘涛;李森;夏军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种存储器件、半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成绝缘介质层，绝缘介质层至少包括牺牲膜层；在牺牲膜层的表面形成掩膜层，掩膜层的蚀刻速率大于牺牲膜层的蚀刻速率；以掩膜层为掩膜蚀刻绝缘介质层，以在绝缘介质层内形成多个分别露出衬底的电容孔；采用蚀刻工艺去除掩膜层；在各电容孔中形成柱状电容的下电极层。本公开的半导体结构的形成方法可保证电容孔的蚀刻高度，提高电荷存储量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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