[发明专利]高压元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110441206.8 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN115241289A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 邱国卿;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件用于切换式电源供应电路的功率级中，用以作为下桥开关。高压元件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体元件、第一隔绝区、第二隔绝区、第三隔绝区以及限流元件。其中第一隔绝区于半导体层中，环绕横向扩散金属氧化物半导体元件。其中第二隔绝区，具有第一导电型，于半导体层中，环绕第一隔绝区。其中第三隔绝区，具有第二导电型，于半导体层中，环绕第二隔绝区。其中限流元件电连接于第二隔绝区，用以抑制寄生硅控整流器导通。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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