[发明专利]一种多层纳米帽-星耦合周期性阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202110443340.1 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113249698B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宇;徐巍;王雅新;温嘉红;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/58;G01N21/65;C23C14/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;薄盈盈 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种多层纳米帽‑星耦合周期性阵列及其制备方法，包括贵金属‑氧化物双层基底以及生长在其表面的纳米贵金属周期阵列，所述贵金属选自Au、Ag、Pd和Pt中的一种。本发明的多层纳米帽‑星耦合周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有传导表面等离激元和改变局域能量场的优异性能；纳米图纹阵列构筑步骤简单、制备周期较短；在制备过程中无需昂贵的试剂因而制备成本较低；双层结构的制备为后续纳米结构拓宽了可操作的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 纳米 耦合 周期性 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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