[发明专利]一种用于硫锂电池的插层材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110444942.9 | 申请日： | 2021-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113224462B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵文俞;贺丹琪;翟鹏程;张清杰 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M50/431 | 分类号： | H01M50/431;H01M50/417;H01M50/451;H01M50/403;H01M10/052;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/20 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 陈建军 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于硫锂电池的插层材料及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。该用于硫锂电池的插层材料，通过磁控溅射方法将靶材溅射在隔膜上制得，所述靶材为热电材料。本发明还包括上述插层材料的制备方法，包括以下步骤：将热电材料靶材置于磁控溅射仪，同时将隔膜置于磁控溅射仪基板，将溅射气压和溅射电压分别调节至4‑8Pa和200‑400V时，磁控溅射仪基板启动旋转模式，溅射10‑30min得到所述插层材料。该插层材料有效阻挡多硫化锂向负极扩散，进而提高锂硫电池的循环稳定性，循环100次，电池的放电比容量高达850mAh/g。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锂电池 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110444942.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
