[发明专利]基于纳米微粒光学成像的光阱电场变化量标定装置及方法有效
| 申请号： | 202110445513.3 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112858304B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李翠红;傅振海;蒋静;陈志明;马园园;胡慧珠 | 申请（专利权）人： | 之江实验室;浙江大学 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G02B27/58;B81B1/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310023 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于纳米微粒光学成像的光阱电场变化量标定装置及方法，通过直观光学成像的方法，测量恒定电场作用下的线纳米粒子平衡位置位移量实现标定，避免错误信号的引入，增加差分标定的可信度。本发明的具体标定方法与装置不仅适用于电场量的标定，对于其他如磁力等的标定同样适用。通过本发明力学量的精确标定，可促进真空光阱传感技术的发展应用。同时本发明的标定装置可以帮助使用者进行感知微粒投送过程以及微粒动力学行为如粒子吸附、掉落等的监测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 微粒 光学 成像 电场 变化 标定 装置 方法 | ||
【主权项】：
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