[发明专利]一种FPGA内的DDR4 SDRAM访问效率优化方法在审

专利信息
申请号: 202110445603.2 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113032303A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 夏婷婷 申请(专利权)人: 无锡芯思维科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F9/38
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 朱晓林
地址: 214000 江苏省无锡市滨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及DDR4SDRAM访问技术,公开了一种FPGA内的DDR4SDRAM访问效率优化方法,包括以下步骤,S1:将用户的DDR4SDRAM的访问命令先输入到预处理模块中;S2:预处理模块对输入的访问命令按照排序规则进行排序,形成新的命令队列,然后将新的命令队列依次发送到DDR4SDRAM,通过在FPGA系统中添加预处理模块对用户的访问命令进行排序,将同一bank内Row地址相同的访问命令归为同一组,然后预处理模块再一组一组地向DDR4SDRAM发送访问命令,这样DDR4SDRAM在接收Row地址相同的命令组的访问命令时只需一个激活行动作即可,节省因地址随机性带来的不断切换Row地址而引起的不断打开和关闭行操作。
搜索关键词: 一种 fpga ddr4 sdram 访问 效率 优化 方法
【主权项】:
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