[发明专利]MOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110446900.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113223966A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 唐怡;梁金娥;奚裴 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种MOS器件的制造方法。该方法包括：提供基底层，基底层包括栅区和位于栅区两侧的源漏区，源漏区与栅区之间连有浅掺杂区；使得基底层的栅区形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成第一侧墙结构，使得第一侧墙结构覆盖在浅掺杂区上；进行源漏离子注入，使得在源漏区位置处的基底层中形成源漏掺杂结构；去除第一侧墙结构；进行非晶化浅掺杂漏注入，使得在浅掺杂区位置处的基底层中形成浅掺杂漏结构；在栅极结构的两侧形成第二侧墙结构，使得第二侧墙结构覆盖在浅掺杂漏结构上；沉积应力记忆膜层，使得应力记忆膜层覆盖在有源区位置处的器件上；进行快速热退火处理，使得器件记忆应力记忆膜层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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