[发明专利]金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法在审
| 申请号： | 202110447695.8 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113193040A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;王若冰;许文强;赵颖;张金风;张雅超;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/02;H01L23/373 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法，主要解决传统的AlGaN/GaN基双沟道异质结极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：[111]晶向金刚石衬底层；低温GaN成核层；高温GaN成核层；GaN底层沟道层；ScAlN势垒层；GaN顶层沟道层；AlN势垒层；GaN帽层。本发明选用极化效应很强的ScAlN和AlN，能在异质结界面处产生大量极化电荷，使整体二维电子气浓度能维持在较高水平，且采用金刚石衬底可有效提高散热能力，从而提高AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道HEMT器件的电流密度和功率密度，可用来制作高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 衬底 aln gan scaln 沟道 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
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